氧化镧靶材工厂

时间:2021年05月05日 来源:

抛光片部分310的厚度均匀。所述抛光片第三部分330的厚度均匀。位于所述固定板200弯折处的所述抛光片300的厚度不均,即所述抛光片第二部分320的厚度不均。抛光片部分310的厚度与所述抛光片第三部分330的厚度相等,均为2mm~3mm。抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330为分体的。在其他实施例中,所述抛光片部分、抛光片第二部分及抛光片第三部分还可以为一体成型。靶材抛光装置100还包括:防护层400,所述防护层400位于所述固定板200与所述抛光片300之间。所述防护层400为弹性材料,能够在所述固定板200及靶材间提供缓冲,避免所述固定板200触撞靶材导致靶材受损。本实施例中,所述防护层400的厚度为30mm~35mm。若所述防护层400的厚度过小,所述防护层400起到的缓冲效果差,难以有效的保护靶材。若所述防护层400的厚度过大,使得所述防护层400的体积过大,进而造成所述靶材抛光装置100的体积过大,对操作者使用所述靶材抛光装置100带来不必要的困难。因为用处不一样,所以不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。氧化镧靶材工厂

与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:本发明提供的靶材抛光装置的技术方案中,所述靶材抛光装置包括:固定板,所述固定板包括顶板和位于所述顶板一侧的侧板;抛光片,位于所述固定板内侧面上,其中位于固定板弯折处的抛光片呈弧状。位于固定板弯折处的抛光片表面适于对靶材经圆角处理的侧棱进行抛光,位于侧板上的所述抛光片表面适于对靶材侧壁表面进行抛光。所述靶材抛光装置能够对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱同时进行抛光,因此所述靶材抛光装置有助于提高对靶材表面进行抛光的作业效率。可选方案中,所述防护层为弹性材料,所述防护层的质地软,能够在所述固定板及靶材间提供缓冲,避免所述固定板触撞靶材导致靶材受损。广东Li2CO3靶材厚度适中:3mm左右,太厚,消耗部分磁强;太薄,容易变形。

气体压强对靶溅射电压的影响   在磁控溅射或反应磁控溅射镀膜的工艺过程中,工作气体或反应气体压强对磁控靶溅射电压能够造成一定的影响。   1.工作气体压强对靶溅射电压的影响   一般的规律是:在真空设备环境条件确定和靶电源的控制面板设置参数不变时,随着工作气体(如氩气)压强(0.1~10Pa)的逐步增加,气体放电等离子体的密度也会同步增加,致使等离子体等效阻抗减小,磁控靶的溅射电流会逐步上升,溅射工作电压亦会同步下降。   2. 反应气体压强对靶溅射电压的影响   在反应磁控溅射镀膜的工艺过程中,在真空设备环境条件确定和靶电源的控制面板设置参数不变时,随着反应气体(如氮气、氧气)压强(或流量)的逐步增加(一般应注意不要超过工艺设定值的上限值),随着磁控靶面和基片(工件)表面逐步被绝缘膜层覆盖,阴-阳极间放电的等效阻抗也会同步增高,磁控靶的溅射电流会逐步下降(直至“阴极中毒”和“阳极消失”为止),溅射工作电压亦会同步上升。



靶材的比较大厚度为30mm;所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形结构;所述靶材包括用于溅射的溅射面;所述溅射面包括***平面、第二平面和斜面;所述斜面与水平面的夹角为8°;所述斜面位于所述***平面和第二平面之间;所述***平面为圆形;所述第二平面为环形;所述靶材的材质包括钛;所述背板的材质包括铜。所得靶材组件溅射强度好,使得溅射过程中薄膜厚度均匀,使用寿命增加。本实施例提供一种长寿命靶材组件,所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.8mm;所述靶材表面的硬度为22hv;其中,所述靶材的比较大厚度为28mm;所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板;所述靶材呈凹形结构;所述靶材包括用于溅射的溅射面;所述溅射面包括***平面、第二平面和斜面;所述斜面与水平面的夹角为3°;所述斜面位于所述***平面和第二平面之间;所述***平面为圆形;所述第二平面为环形;所述靶材的材质包括钽;所述背板的材质包括铜。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间,当发生靶中毒时,溅射电压会降低。

作为本发明 的技术方案,所述靶材组件还包括用于固定靶材的背板。作为本发明 的技术方案,所述靶材呈凹形结构。作为本发明 的技术方案,所述靶材包括用于溅射的溅射面。 地,所述溅射面包括***平、第二平面和斜面。作为本发明 的技术方案,所述斜面与水平面的夹角≤10°,例如可以是10°、9°、8°、7°、6°、5°、4°、3°、2°或1°等,但不限于所列举的数值,该范围内其他未列举的数值同样适用。作为本发明 的技术方案,所述斜面位于所述***平面和第二平面之间。 地,所述***平面为圆形。 地,所述第二平面为环形。作为本发明 的技术方案,所述靶材的材质包括铝、钽、钛或铜中的一种。作为本发明 的技术方案,所述背板的材质包括铜和/或铝。作为本发明 的技术方案,所述靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为;所述靶材表面的硬度为20-30hv。靶材安装及注意事项有哪些?武汉钨靶材贴合

靶材绑定的定义。溅射靶材的分类有哪些?氧化镧靶材工厂

中频双靶反应磁控溅射与直流反应磁控溅射相比具有以下几个显巨优点:   (1)消除了靶面打弧放电现象,中频反应磁控溅射镀制的绝缘薄膜与直流反应磁控溅射镀制的同种膜相比,膜面缺 陷要少几个数量级;   (2)可以得到比直流反应磁控溅射高出数倍的溅射沉积速率;   (3)中频双靶反应磁控溅射的整个溅射沉积过程,可以始终稳定在所设定的工作点上,为大规模工业化稳定生产提供了条件。   选用非对称双极脉冲靶电源与选用“双靶-中频靶电源”不同,使用单个磁控靶进行反应磁控溅射,调节相应的镀膜工艺参数,可以消除磁控靶面打弧放电现象和实现长时间稳定的薄膜沉积,可以达到上述“中频-双靶反应磁控溅射”的同样效果。


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