广州物理抛光液性能

蓝宝石抛光液  

蓝宝石抛光液是以高纯度硅粉为原料，经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。   蓝宝石抛光液主要用于蓝宝石衬底的抛光。还可***用于多种材料纳米级的高平坦化抛光，如：硅片、化合物晶体、精密光学器件、宝石等的抛光加工。     

蓝宝石抛光液的特点：   

1.高抛光速率，利用大粒径的胶体二氧化硅粒子达到高速抛光的目的。  

2.高纯度（Cu含量小于50 ppb），有效减小对电子类产品的沾污。  

3.高平坦度加工，蓝宝石抛光液是利用SiO2的胶体粒子进行抛光，不会对加工件造成物理损伤，达到高平坦化加工。   蓝宝石抛光液根据pH值的不同可分为酸性抛光液和碱性抛光液。 氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料，具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。广州物理抛光液性能

硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用:一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器,方法简单易行。广州物理抛光液性能氧化铝抛光液含有溶胶氧化铝，可经过朴实的机械抛光来***地去除资料，达到优异的外表处理效果。

化学机械抛光液作为半导体工艺中的辅助材料，主要应用于抛光片和分立器 件制造过程中的抛光过程。因此，抛光液主要应用于半导体行业（抛光片和分立器件）、集成电路行业和电子信息产业。

化学机械抛光技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一，并用于集成电路制造过程的各阶段表面平整化，而抛光液对抛光效率和加工质量有着重要的影响，但由于具有很高的技术要求，目前商业化的抛光液配方处于完全保密状态，主要集中在美国、日本、韩国。这也导致在我国半导体硅抛光片加工中，所使用的抛光液绝大多数都要靠进口。尽管我国目前在抛光液行业现已发展到有几十家的企业，但是真正涉足到半导体硅片抛光液制造、研发方面的企业很少。无论是产品质量上、还是在市场占有率方面，国内企业都表现出与国外厂家具有相当的差距。

纳米级抛光液制备方法：本发明属于研磨料技术领域，由纳米级金刚石粉、非离子型分散稳定剂、抗静电剂、净洗剂、和Ｃ９以下轻质白油或石脑油组成，其制备方法为将纳米金刚石机械研磨成粉体，烘干；加入分散稳定剂，加热混合使粉体润湿；加入白油或石脑油，抗静电剂，净洗剂，以及适量pＨ值调节剂，并不断搅拌，将混合物分散成悬浮液。本发明将产品的表面抛光质量提高到亚纳米量级，以适应于计算机磁头、光学器件和陶瓷等高精度表面研磨和抛光之用。多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分，可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。

    研磨液供给与输送系统

①研磨液供给与输送系统与CMP工艺之间的关系：研磨液中的化学品在配比混合输送过程中可能有许多变化，这一点，使输送给机台的研磨液质量与抛光工艺的成功形成了非常紧密的关系，其程度超过了与高纯化学品的联系。尽管CMP设备是控制并影响CMP工艺结果的主要因素，但是研磨液在避免缺点和影响CMP的平均抛光速率方面起着巨大的作用。

②研磨液供给与输送系统实现的目标：通过恰当设计和管理研磨液供给与输送系统来保证CMP工艺的一致性。研磨液的混合、过滤、滴定以及系统的清洗等程序会减轻很多与研磨液相关的问题。那么就要设计一个合适的研磨液的供给与输送系统，完成研磨液的管理，控制研磨液的混合、过滤、浓度、滴定及系统的清洗，减少研磨液在供给、输送过程中可能出现的问题和缺点，保证CMP的平坦化效果。

③抛光研磨液后处理：作为消耗品，研磨液一般是一次性使用。随着CMP市场的扩大，抛光研磨液的排放及后处理工作量也在增大(出于环保原因，即使研磨液不再重复利用，也必须先处理才可以排放)。而且，抛光研磨液价格昂贵，如何对抛光研磨液进行后处理，补充必要的化学添加剂，重复利用其中的有效成分，或降级使用，不仅可以减少环境污染。 氧化铝抛光液主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。湖北基板抛光液厂家

氧化硅抛光液用于多种材料纳米级的高平坦化抛光。广州物理抛光液性能

高介电材料钛酸锶钡化学机械抛光用的纳米抛光液:一种用于半导体器件中高介电常数介电材料钛酸锶钡(BaxSr1-xTiO3,BST)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液。该CMP纳米抛光液包含有纳米研磨料、螯合剂、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于新一代高密度存储器(DRAM)电容器介电材料及CMOS场效应管的栅介质——高介电常数介电材料钛酸锶钡的全局平坦化。利用上述纳米抛光液采用化学机械抛光方法平坦化高介电常数介电材料钛酸锶钡,抛光后表面的粗糙度降至0.8nm以下,抛光速率达200～300nm/min;抛光后表面全局平坦度高,损伤较少,是制备超高密度动态存储器(DRAM)及CMOS场效应管时高介电材料平坦化的一***抛光液。广州物理抛光液性能

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