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(Ce3离子从5d态跃迁到2F7/2和2F5/2产生的两个发射带通常位于紫外和蓝社区域。当5d能级受到外场影响时,其能级位置降低很多,发射带延伸到红区,因此Ce3离子的发射带位置差别很大,可以从紫外区延伸到可见光区,覆盖范围> 20000 cm-1。如此大范围的变化超出了其他三价稀土离子的能力。该外场的影响与基质的结构及其结合键有关
(Ce3离子的单个4f电子由于自旋方向不同,有两个能级,2F7/2和2F5/2,2F5/2在较低的2F7/2上,两者的能量差为2000 cm-1。根据气态Ce3离子的光谱,它们的能量差为2257 cm-1。室温下,2F5/2能级有一个电子,2F7/2能级基本上是空的。2F5/2和2F7/2之间的跃迁一般在红外波段。 CeYAG提拉法晶体生长的吗?安徽CeYAP晶体哪里买
由于YAP晶体结构的各向异性,很难获得高质量的晶体,但由于其广阔的应用前景,人们对YAP晶体的生长过程做了大量的探索和研究[58-74]。国外生长的YAP单晶已达到50毫米,长约150毫米,重约1380克[75,76]。随着生长技术的提高,中科院上海光学力学研究所已经能够生长出直径为50 mm的大单晶,但形状控制和质量有待进一步提高。目前国内生长的Ce: YAP晶体仍存在出光率低的问题,其机理应该与自吸收有关,但尚未得到有效解决。
有人计算过YAP晶体的能带结构[77,78]。结果表明,该氧化物晶体的价带顶端由未结合的O2-离子组成,而价带he心主要由O2-离子的2S能级和Y3离子的4P能级的混合物组成。导带底部主要由Y3离子的4d和5S轨道组成,而Al3的3d能级在导带中占据较高的能级位置。YAP晶体的禁带宽度为7.9 eV,主要由Y-O相互作用决定,而不是Al-O相互作用。文献[26]中也报道了YAP晶体的带隙为8.02 eV。 专业抛光CeYAP晶体批发价不同离子掺杂对CeYAP晶体有哪些影响?
Ce: YAP晶体的退火
刚出炉的Ce:YAP单晶由于内部热应力较大,在加工过程中容易开裂,提拉法生长的晶体明显,同时由于铈离子的价态(Ce2、Ce3、Ce4)不同,高温闪烁晶体中只有三价铈离子(Ce3)作为发光中心,因此不同的退火工艺条件对高温闪烁晶体的闪烁性能有重要影响。
对于空气退火,退火温度为1000 ~ 1600,恒温时间为20 ~ 30小时,1200以下升温/降温速率为50 ~ 100,1200时升温/降温速率为30 ~ 50。使用的设备是硅碳或硅钼棒马弗炉
流动氢退火,退火温度1200-1600,恒温时间20-36小时,1200以下升温/降温速率50-100/小时,1200升温/降温速率30-50/小时。
不同退火条件下Ce: YAP晶体自吸收的比较
为了比较不同退火条件下退火对自吸收的影响,我们测量了相同厚度(2mm)和浓度(0.3%)的Ce: YAP晶体在不同温度和气氛下退火后的透射光谱、荧光光谱和XEL光谱。从图4-8可以看出,直拉法生长的Ce: YAP晶体经氢退火后透射边蓝移,自吸收减弱。当进行氧退火时,通过边缘红移增强了自吸收。氢的退火温度越高,自吸收越弱。氧的退火温度越高,自吸收越强。然而,退火温度的上限约为1600。如果温度太高,晶体容易起雾,导致几乎不渗透。 Ce:YAP晶体的自吸收机理是什么?
我们用8W的紫外灯功率和255nm的波长照射厚度为2mm、浓度为0.3%的Ce: YAP样品。样品辐照时间分别为15、30和60分钟。
从紫外辐射吸收光谱可以清楚地看出,随着辐照时间的增加,Ce: YAP样品的吸收边发生红移,样品在254nm处的吸收系数也相应增加。
退火和辐照纯度对YAP和Fe: YAP晶体吸收光谱的影响
据报道,Fe3和Fe2离子分别在260纳米和227纳米附近有吸收[98,99],纯YAP在260纳米附近也有吸收。为了了解255纳米附近的吸收峰特性,我们生长并研究了纯YAP晶体和浓度为0.2%的YAP:铁。通过透射率的比较,我们粗略分析了纯YAP和YAP: Fe晶体中可能的色心及其对ce3360ap自吸收的影响。 不同厚度Ce:YAP晶体自吸收比较。贵州CeYAP晶体供应
不同气氛生长Ce: YAP晶体 XEL谱和衰减时间谱?安徽CeYAP晶体哪里买
经过这个电离过程,就很难从本质上区分导致电离的自由电子和这个电离过程产生的自由电子。这些二次电离事件的产物,即电离过程产生的两个电子,可以导致第三次电离、第四次电离等等,从而导致产生电子和空穴的雪崩过程,这样的层电离过程会一直持续到产生的电子和光子不能进一步电离。快电子通过与原子中电子的非弹性散射失去能量,所以闪烁过程的第二阶段可以称为电子-电子弛豫。这一阶段的0终产物是晶体中的低能电子激发:导带电子、价带空穴,中心带和价带激子。安徽CeYAP晶体哪里买
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