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我们用8W的紫外灯功率和255nm的波长照射厚度为2mm、浓度为0.3%的Ce: YAP样品。样品辐照时间分别为15、30和60分钟。
从紫外辐射吸收光谱可以清楚地看出,随着辐照时间的增加,Ce: YAP样品的吸收边发生红移,样品在254nm处的吸收系数也相应增加。
退火和辐照纯度对YAP和Fe: YAP晶体吸收光谱的影响
据报道,Fe3和Fe2离子分别在260纳米和227纳米附近有吸收[98,99],纯YAP在260纳米附近也有吸收。为了了解255纳米附近的吸收峰特性,我们生长并研究了纯YAP晶体和浓度为0.2%的YAP:铁。通过透射率的比较,我们粗略分析了纯YAP和YAP: Fe晶体中可能的色心及其对ce3360ap自吸收的影响。 温梯法如何大尺寸CeYAG晶体生长?福建专业抛光CeYAP晶体订做价格
Ce: YAP晶体自吸收机制分析
从以上实验可以看出,存在自吸收的累积效应,随着厚度和浓度的增加而增加。在氧气氛中退火后,自吸收增加,而在还原气氛中,自吸收减少。自吸收随ce离子浓度的增加而增加,与Ce离子有明显的相关性,说明杂质离子引起自吸收有两种可能:一种可能是Ce原料附带的;另一种可能是其他原料中的杂质可以与Ce离子相互作用形成吸收中心。如果Ce原料上有杂质附着,CeO2原料纯度为5N,Ce离子的熔体浓度小于0.6%,两者之间的倍增为0.1ppm数量级,那么这种杂质的可能性很小。 湖南CeYAP晶体量大从优CeYAP晶体低浓度与高浓度如何区分?
电子-电子弛豫时间一般为10-15-10-13 s,初始电子能量不同。快电子不只能与内壳层电子相互作用,还能与价电子相互作用。这种相互作用产生了电子统一,即等离子体的集体振荡。产生这种振荡的原因是电离过程中产生的自由电子的附加场与固体中的电子相互排斥。这种集体振荡表现为晶体体积内纵向电荷密度的波动,可以认为是一些能量Ep=hp的准粒子的运动,p是等离子体的频率。在绝缘体和半导体中,典型的等离子体能量Ep为10-20ev,寿命约为10-15 s,当一个快电子通过晶体时,会在后面留下大量的等离子体,等离子体会衰变为电子-空穴对
对于掺Ce3的无机闪烁晶体,高能射线作用下的闪烁机制一般认为如下[16,17]:晶体吸收高能射线后,晶体内部产生大量的热化电子空穴对。由于铈元素的四阶电离能是所有稀土元素中比较低的(如图1-6所示),晶体发光中心的Ce3离子首先俘获一个空穴形成Ce4离子。然后一个电子被捕获,变成Ce3。此时,电子和空穴被铈离子重组。复合产生的能量将Ce3离子从4f基态激发到5d激发态,然后Ce3离子从5d激发态辐射弛豫到4f基态发光由于掺杂铈离子的无机闪烁体通常具有高光输出和快速衰减的特点,自20世纪80年代末和90年代初以来,国内外对掺杂铈离子的无机闪烁体进行了大量的研究和探索[18-28],涉及的闪烁体包括从氟化合物和溴化物到氧化物和硫化物的无机闪烁体。CeYAG温梯法晶体生长的?
(Ce3离子5d态的能量较低,与4f态的高能级重叠。所以4f电子会被激发到5d态,从5d态回到4f态会发光。由于5d轨道位于5s5p之外,不像4f轨道那样被屏蔽在内层,所以很容易受到外场的影响,使得5d态成为能带而不是离散能级。从这个能带到4f能级的跃迁成为带谱。
作为自由离子,Ce3的4f和5d能级差为6.134 eV (202nm/49340cm-1) [14]。在晶体场的作用下,4f和5d之间的能级距离普遍减小。晶体场力越大,能级间距越小。从前面的讨论可以看出,4f能级在内层被屏蔽,基本不受晶场影响。5d态被晶体场分裂,导致4f和5d能级重心距离缩短。P. Dorenbos认为,晶体场引起的5d能级分裂程度取决于Ce3周围阴离子多面体的大小和形状[15]。基于Ce3离子以上独特的能级结构和发光特性,以Ce3离子为激发离子的无机晶体一般光输出高,衰减时间快,更适合作为闪烁晶体。 Ce:YAP晶体生长原料需要哪些?吉林CeYAP晶体现货
文献提出惰性气氛生长的纯YAP晶体很容易在波长小于280nm的紫外辐照下着色.福建专业抛光CeYAP晶体订做价格
Ce: YAP晶体的退火
刚出炉的Ce:YAP单晶由于内部热应力较大,在加工过程中容易开裂,提拉法生长的晶体明显,同时由于铈离子的价态(Ce2、Ce3、Ce4)不同,高温闪烁晶体中只有三价铈离子(Ce3)作为发光中心,因此不同的退火工艺条件对高温闪烁晶体的闪烁性能有重要影响。
对于空气退火,退火温度为1000 ~ 1600,恒温时间为20 ~ 30小时,1200以下升温/降温速率为50 ~ 100,1200时升温/降温速率为30 ~ 50。使用的设备是硅碳或硅钼棒马弗炉
流动氢退火,退火温度1200-1600,恒温时间20-36小时,1200以下升温/降温速率50-100/小时,1200升温/降温速率30-50/小时。 福建专业抛光CeYAP晶体订做价格
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