广西专业加工CeYAP晶体

生长Ce: YAP 晶体时，我们主要通过适当改变转速和改变腔结构来调节温场。保温罩设计成不同高度的模块，生长时不同高度的保温罩可叠加组合，同时保温罩盖也设计成不同口径。由于部分晶体等径结束后采用快速提拉脱离液面，晶体底部保留了比较完整在固液界面状况。为了方便比较，可定义固液界面锥度为 tgθ，

1．初始情况，晶体固液界面的锥度  tgθ= 0.81

2．保温罩高度增加20%，晶体固液界面的锥度增加  tgθ= 0.96

3．保温罩盖直径减小20%，晶体固液界面的锥度减小  tgθ= 0.51

4．晶体转速增加20%，晶体固液界面的锥度略变小  tgθ= 0.78

结果说明，在本Ce: YAP 晶体生长时，保温罩盖口径对温场影响比较大，主要原因是口径增加使腔内气体与外界对流增大，带走大量热量，**终影响固液界面。同样增加保温罩高度也有类似效果，但由于气流受开口限制，带走的热量相对比较少。我们用10mW绿光激光器测试了不同条件下生长Ce: YAP 晶体的散射情况，发现固液界面的锥度为0.8左右时，晶体的散射光路**少。同时我们发现晶体下半部分的光学质量会略优于上半部分，主要是由于晶体在生长过程中不断旋转，有一个搅拌过程，使原料更加均匀；并且液面下降后，坩埚露出液面部分起了后热器的作用。 Ce:YAP晶体的生长装置图有吗？广西专业加工CeYAP晶体

上式中X 为传感器受到的重量，重量间隔为10克；Y 为3504欧路显示的过程值，R为相关系数，A为截距，B为斜率。测试结果表明新系统的相关系数为-0.99998，标准差为0.062（原系统为-0.99992，标准差为0.117）, 具有很好的线性，确保了在晶体生长过程中控制系统能精确地得到晶体重量信息，从而有效控制晶体生长。

程序段的选择

由于晶体放肩阶段属强迫限制晶体直径增大的过程，晶体尺寸的变化率比较大，如果程序段过少，容易在晶体表面出现明显的分段现象，从而影响晶体的内部质量。在确保控制精度的前提下，为了效控制晶体外形尺寸，需要考虑增加晶体的生长程序。在生长大尺寸Ce: YAP晶体时我们使用300个程序段放肩（3504欧路控制器程序段共500段），而采用818欧陆控制器的放肩程序*为30段。

结果表明，增加程序段后，晶体放肩部分的外形控制得到明显改善 北京CeYAP晶体量大从优有Ce离子之间的能量转移过程介绍吗？

另一个类似于辐射长度的物理量叫做摩尔半径(RM):RMX0 (Z  1.2)/37.74(1.13)

小摩尔半径有利于减少其他粒子对能量测量的污染。吸收系数、辐射长度和摩尔半径与晶体密度直接或间接成反比。因此，寻找高密度闪烁晶体已成为未来闪烁晶体的一个重要研究方向。为了减小探测器的尺寸和成本，希望探测器越紧凑越好。因此，要求闪烁晶体在防止辐射方面尽可能强，表现为晶体的吸收系数大、辐射长度短、摩尔半径小。

晶体中e3的电子结构、能级结构和发光特性

表1-3给出了镧系元素的电子壳层结构和离子半径。从表中可以看出，Ce元素的电子结构为[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的电子结构以[Xe]4f1为特征，Ce3的内部电子结构为惰性原子结构，0外层只有一个电子结构，所以Ce3在晶体中具有独特的能级结构和发光特性[10-12]:

(1)Ce3离子的一个电子在4f能级上L=3，在5d能级上L=2，它们的宇称不同，所以Ce3离子的5d-4f跃迁是允许的电偶极子跃迁。在这个允许的5d-4f跃迁中，电子在5d能级的寿命很短，一般在低5d能级的30~100ns，所以作为闪烁晶体的发光中心，它的衰变时间很短。

掺杂浓度为3at%的YAP:Mn晶体呈多晶形态，单晶生长未获成功，我们认为这与Mn4+在YAP晶体中分凝系数较小有关。Mn4+进入YAP晶格取代Al3+离子所必需的电荷补偿除一部分由Mn2+离子提供外，主要由YAP晶体中本身存在的大量Y3+离子空位(VY)提供。由于电荷补偿，离子半径与电负性的差异，YAP晶体中掺杂的Mn离子浓度不能过高。根据文献[27]Mn离子在YAP中的分凝系数约为0.1～0.12,分凝系数低说明Mn离子不易进入YAP晶格。M. A. Noginov等成功生长了YAP:Mn(2at%)晶体[184][185]，这是目前为止报道的比较高Mn离子掺杂浓度的YAP晶体。YAP:Mn(3at.%)单晶生长失败可能是因为Mn离子浓度过高，熔融中大量Mn离子无法进入YAP晶格，导致单晶生长失败。不同离子掺杂对CeYAP晶体有哪些影响？

式中的Z表示闪烁体的有效原子序数。通常要求闪烁晶体对入射辐照具有大的吸收系数，例如对断层扫描技术来说，采用吸收系数大的材料制造探测器，不仅可使探测器尺寸紧凑，而且能改善其空间分辨率。空间分辨率对核物理和高能物理实验用的探测器特别重要。

有时候也采用质量吸收系数μm＝μ/D（D**密度）来代替线性吸收系数μ。因为质量吸收系数和材料的晶体结构及相没有关系。

闪烁体的有效原子序数通常由下式进行计算：

Z =                                           (1.10)

上式(1.10)中的Wi为组成晶体的原子i的重量百分含量，Zi为组成晶体原子i的原子序数。

入射到晶体中的光子、电子（或正电子）在晶体中穿过一定距离后，其能量下降到原来的1/e，这个距离称为该晶体的辐射长度（通常用X0表示）。它表征着闪烁体对射线的截止本领。从上述定义可以得出：

X0=1/μ             CeYAG温梯法晶体生长的？湖北CeYAP晶体现货

Ce:YAP晶体生长原料需要哪些？广西专业加工CeYAP晶体

无机闪烁晶体的光输出主要与晶体的组成结构（β，Eg），电子空穴对到发光中心能量传递效率及发光中心的量子效率（α）有关。

NaI:Tl闪烁晶体具有比较大的光输出（约为48，000Ph/MeV）。将其它无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较，所得的相对值（%NaI(Tl)）称作“相对光输出”。通常采用相对光输出来表征无机闪烁晶体的光输出。

（3）密度，线性吸收系数，质量吸收系数，有效原子序数，辐射长度，Moliere半径[7-9]。

在高能伽马射线探测应用中，高密度的无机闪烁晶体经常被用到。因为晶体密度高可以减少探测器的尺寸。

当强度为J0的入射辐照通过厚度为x的材料时，出射辐照的强度J可近似地表示为：

 J=J0exp(-μx)                         (1.8)

其中μ为线性吸收系数。对于伽马射线而言，它们主要和固体中的电子相互作用，此时μ主要决定于固体中的电子密度ne和一个电子的吸收截面σe，所以线性吸收系数还可以表示如下：

μ= =                                            ( 广西专业加工CeYAP晶体

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