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快电子不仅能和内壳层电子相互作用而且也能和价电子相互作用，这种相互作用产生电子统一体也就是等离子体的集体振荡。这种振荡出现的原因是离化过程中产生的自由电子的附加场和固体中的电子互相排斥引起的。这种集体的振荡表现为在晶体体积范围内的纵向电荷密度波动，可以认为是一些具有能量Ep = hωp的准粒子在运动，ωp是等离子体的频率。在绝缘体和半导体中，典型的等离子体能量Ep为10到20 eV，寿命约为10-15 s。一个快电子在通过晶体时，将在它身后留下一团等离子体，这些等离子体将衰减成电子－空穴对。不同气氛生长Ce:YAP晶体透过和荧光谱有什么不同？重庆CeYAP晶体哪家好

为了***籽晶中的缺陷向晶体中延伸，可采取必要的缩颈工艺。主要通过手动慢升温生长工艺来实现，也可以使用适当的升温程序。当提拉的晶体缩颈到所需尺寸(约Φ4-5mm)并维持一段时间后，启动生长程序进入生长过程。晶体放肩到合适的尺寸后(约Φ55~60mm)，自动进入等径生长阶段。晶体等径生长的长度约为100mm，加液面下降部分，等径全长在120mm左右。提拉后再用设定的降温程序冷却至室温，生长结束。下图为部分我们用提拉法生长的大尺寸Ce:YAP晶体。

质量好CeYAP晶体市场价格Ce:YAP晶体的生长装置图有吗？

无机闪烁晶体的光输出主要与晶体的组成结构（β，Eg），电子空穴对到发光中心能量传递效率及发光中心的量子效率（α）有关。

NaI:Tl闪烁晶体具有比较大的光输出（约为48，000Ph/MeV）。将其它无机闪烁晶体的光输出与NaI:Tl晶体的光输出进行比较，所得的相对值（%NaI(Tl)）称作“相对光输出”。通常采用相对光输出来表征无机闪烁晶体的光输出。

（3）密度，线性吸收系数，质量吸收系数，有效原子序数，辐射长度，Moliere半径[7-9]。

在高能伽马射线探测应用中，高密度的无机闪烁晶体经常被用到。因为晶体密度高可以减少探测器的尺寸。

当强度为J0的入射辐照通过厚度为x的材料时，出射辐照的强度J可近似地表示为：

 J=J0exp(-μx)                         (1.8)

其中μ为线性吸收系数。对于伽马射线而言，它们主要和固体中的电子相互作用，此时μ主要决定于固体中的电子密度ne和一个电子的吸收截面σe，所以线性吸收系数还可以表示如下：

μ= =                                            (

闪烁过程的第二阶段0为复杂多变。空穴和电子的弛豫过程是不同的。内壳被电离的原子(A)可以通过辐射跃迁发射光子来弛豫，或者通过产生二次电子(俄歇电子)在没有辐射的情况下弛豫。一般没有辐射衰减的概率远大于辐射衰减的概率。像初级电子一样，俄歇电子通过散射电子和发射声子来损失能量。原子内壳层电子能级之间的辐射跃迁能一般等于X射线的能级这第二个X射线光子可以被另一个原子吸收产生新的深空穴和自由电子。结果，空穴从原子(a)的k层跑到l或m层，然后参与下一步的弛豫过程。因此，内壳含空穴原子(a)的弛豫过程是无辐射跃迁和辐射跃迁的叠加过程，所需时间一般为10-13 ~ 10-15s闪烁材料的发展历史可以大致分为几个阶段？。

热释光是物质预先吸收了辐射能之后的热激发光。产生热释光的三个基本要素是：***，材料必须是绝缘体或半导体；第二，该材料在受辐照的同时必须吸收能量；第三，用加热该材料的方法可以激发光发射[96]。热释光对分析闪烁晶体中存在的缺陷和及其对发光和时间特性的影响有很大帮助。我们测试主要用北京核仪器厂的 FJ427A1型微机热释光剂量仪。

吸收辐射能之后，光的发射显示出一个特征时间，我们把小于10-8 s的发光叫荧光，把大于10-8 s的发光叫磷光。小于10-8 s的值给出了荧光发射基本过程的定义，把荧光发射描绘成与辐射吸收同时发生并随辐射停止而立即消失的过程。磷光的特征是在辐射吸收与发光达到**强的时间之间有一个时间延迟，而且在激发停止后磷光会持续一段时间。通常都用辐射与固体电子之间的能量转换来解释光发射现象，图2-6是热释光产生过程中的能级跃迁简单示意图。例如把电子从基态激发到激发态，单受激电子返回基态时就引起光子发射。这种荧光跃迁之间的时间间隔小于10-8 s，而且过程与温度无关。可以假设在电子的基态g和激发态e之间存在亚稳态m，从g激发到e的电子可能被束缚在m内，直到获得足够的能量E使之从m返回到e，然后返回到g并伴随光发射。 退火可以改变CeYAP材料中缺陷分布，进而改变材料的热力学和光释光灵敏度吗？甘肃生长CeYAP晶体

铈钇铝石榴石(TGT)闪烁晶体的缺陷及其对晶体发光性能和闪烁时间的影响。重庆CeYAP晶体哪家好

生长Ce: YAP 晶体时，我们主要通过适当改变转速和改变腔结构来调节温场。保温罩设计成不同高度的模块，生长时不同高度的保温罩可叠加组合，同时保温罩盖也设计成不同口径。由于部分晶体等径结束后采用快速提拉脱离液面，晶体底部保留了比较完整在固液界面状况。为了方便比较，可定义固液界面锥度为 tgθ，

1．初始情况，晶体固液界面的锥度  tgθ= 0.81

2．保温罩高度增加20%，晶体固液界面的锥度增加  tgθ= 0.96

3．保温罩盖直径减小20%，晶体固液界面的锥度减小  tgθ= 0.51

4．晶体转速增加20%，晶体固液界面的锥度略变小  tgθ= 0.78

结果说明，在本Ce: YAP 晶体生长时，保温罩盖口径对温场影响比较大，主要原因是口径增加使腔内气体与外界对流增大，带走大量热量，**终影响固液界面。同样增加保温罩高度也有类似效果，但由于气流受开口限制，带走的热量相对比较少。我们用10mW绿光激光器测试了不同条件下生长Ce: YAP 晶体的散射情况，发现固液界面的锥度为0.8左右时，晶体的散射光路**少。同时我们发现晶体下半部分的光学质量会略优于上半部分，主要是由于晶体在生长过程中不断旋转，有一个搅拌过程，使原料更加均匀；并且液面下降后，坩埚露出液面部分起了后热器的作用。 重庆CeYAP晶体哪家好

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