半导体设备纳米压印国内代理
对于压印工艺，EVG610允许基板的尺寸从小芯片尺寸到比较大直径150 mm。纳米技术应用的配置除了可编程的高和低接触力外，还可以包括用于印章的释放机构。EV Group专有的卡盘设计可提供均匀的接触力，以实现高产量的压印，该卡盘支持软性和硬性印模。
EVG610特征：
顶部和底部对准能力
高精度对准台
自动楔形误差补偿机制
电动和程序控制的曝光间隙
支持***的UV-LED技术
**小化系统占地面积和设施要求
分步流程指导
远程技术支持
多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）
敏捷处理和光刻工艺之间的转换
台式或带防震花岗岩台的单机版
附加功能：
键对准
红外对准
纳米压印光刻
µ接触印刷
EV Group 提供完整的UV 紫外光纳米压印光刻（UV-NIL）产品线。半导体设备纳米压印国内代理
具体说来就是，MOSFET能够有效地产生电流流动，因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平（硅中掺杂以带来或正或负的电荷），以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅（SiO2）衬底上，然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控，掺杂有时会泄到别的不需要的地方，那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域，并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手（包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等），开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。研究人员通过电子束光刻工艺在表面上形成定制形状和塑形，从而带来更加“物理可控”的生产过程。（来自网络。半导体设备纳米压印国内代理纳米压印设备可用来进行热压花、加压加热、印章、聚合物、基板、附加冲压成型脱模。
EVG ® 520 HE特征：
用于聚合物基材和旋涂聚合物的热压印和纳米压印应用
自动化压花工艺
EVG专有的**对准工艺，用于光学对准的压印和压印
气动压花选项
软件控制的流程执行
EVG ® 520 HE技术数据
加热器尺寸：150毫米，200毫米
比较大基板尺寸：150毫米，200毫米
**小基板尺寸：单芯片，100毫米
比较大接触力：10、20、60、100 kN
比较高温度：标准：350°C；可选：550°C
粘合卡盘系统/对准系统
150毫米加热器：EVG ® 610，EVG ® 620，EVG ® 6200
200毫米加热器：EVG ® 6200，MBA300，的Smart View ® NT
真空：
标准：0.1毫巴
可选：0.00001 mbar
HERCULES ® NIL完全集成SmartNIL
®的 UV-NIL紫外光纳米压印系统。
EVG的HERCULES ® NIL产品系列
HERCULES ® NIL完全集成SmartNIL
® UV-NIL系统达200毫米
对于大批量制造的完全集成的纳米压印光刻解决方案，具有EVG's专有SmartNIL ®印迹技术
HERCULES NIL是完全集成的UV纳米压印光刻跟 踪解决方案，适用于比较大200 mm的晶圆，是EVG的NIL产品组合的***成员。HERCULES
NIL基于模块化平台，将EVG专有的SmartNIL压印技术与清洁，抗蚀剂涂层和烘烤预处理步骤相结合。这将HERCULES NIL变成了“一站式服务”，将裸露的晶圆装载到工具中，然后将经过完全处理的纳米结构晶圆退回。 EVG提供不同的***积压印系统，大面积压印机，微透镜成型设备以及用于高 效母版制作的分步重复系统。
UV纳米压印光刻系统
EVG®610/EVG®620NT /EVG®6200NT：具有紫外线纳米压印功能的通用掩模对准系统
■高精度对准台
■自动楔形误差补偿机制
■电动和程序控制的曝光间隙
■支持***的UV-LED技术
■**小化系统占地面积和设施要求
EVG®720/EVG®7200/EVG®7200LA：自动化的全场纳米压印解决方案，适用于第3代基材
■体积验证的压印技术，具有出色的复制保真度
■专有的SmartNIL®技术和多用途聚合物印章技术
■集成式压印，UV固化，脱模和工作印模制作
■盒带间自动处理以及半自动研发模式
■适用于所有市售压印材料的开放平台
EVG ® 7200是自动SmartNIL ® UV纳米压印光刻系统。氮化镓纳米压印厂家
EVG的SmartNIL技术是基于紫外线曝光的全场压印技术，可提供功能强大的下一代光刻技术。半导体设备纳米压印国内代理
纳米压印光刻设备-处理结果：
新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 EVG的NIL解决方案能够产生具有纳米分辨率的多种不同尺寸和形状的图案，并在显示器，生物技术和光子应用中实现了许多新的创新。HRI SmartNIL®压印上的单个像素的1.AFM图像压印全息结构的AFM图像
资料来源：EVG与SwissLitho
AG合作（欧盟项目SNM）
2.通过热压花在PMMA中复制微流控芯片
资料来源：EVG
3.高纵横比（7：1）的10 µm柱阵列
由加拿大国家研究委 员会提供
4.L / S光栅具有优化的残留层，厚度约为10 nm
资料来源：EVG
5.紫外线成型镜片300 µm
资料来源：EVG
6.光子晶体用于LED的光提取
多晶硅的蜂窝织构化（mc-Si）
由Fraunhofer ISE提供
7.金字塔形结构50 µm
资料来源：EVG
8.**小尺寸的光模块晶圆级封装
资料来源：EVG
9.光子带隙传感器光栅
资料来源：EVG（欧盟Saphely项目）
10.在强光照射下对HRISmartNIL®烙印进行完整的晶圆照相
资料来源：EVG 半导体设备纳米压印国内代理