EVG6200NT纳米压印出厂价
SmartNIL技术简介
SmartNIL是基于紫外线曝光的全域型压印技术，可提供功能强大的下一代光刻技术，几乎具有无限的结构尺寸和几何形状功能。由于SmartNIL集成了多次使用的软标记处理功能，因此还可以实现****的吞吐量，并具有显着的拥有成本的优势，同时保留了可扩展性和易于维护的操作功能。另外，主模板的寿命延长到与用于光刻的掩模相当的时间。岱美作为EVG在中国区的代理商，欢迎各位联系我们，探讨纳米压印光刻的相关知识。我们愿意与您共同进步。
EVG ® 720是自动SmartNIL ® UV紫外光纳米压印光刻系统。EVG6200NT纳米压印出厂价
据外媒报道，美国威斯康星大学麦迪逊分校（UWMadison）的研究人员们，已经同合作伙伴联手实现了一种突破性的方法。不仅**简化了低成本高性能、无线灵活的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的制造工艺，还克服了许多使用标准技术制造设备时所遇到的操作上的问题。该技术可用于制造大卷的柔性塑料印刷线路板，并在可穿戴电子设备和弯曲传感器等领域派上大用场。研究人员称，这项突破性的纳米压印平板印刷制造工艺，可以在普通的塑料片上打造出整卷非常高性能的晶体管。由于出色的低电流需求和更好的高频性能，MOSFET已经迅速取代了电子电路中常见的双极晶体管。为了满足不断缩小的集成电路需求，MOSFET尺寸也在不断变小，然而这也引发了一些问题。EV Group纳米压印当地价格分步重复刻印通常用于高 效地制造晶圆级光学器件制造或EVG的Smart NIL工艺所需的母版。
HERCULES ® NIL完全集成SmartNIL
®的 UV-NIL紫外光纳米压印系统。
EVG的HERCULES ® NIL产品系列
HERCULES ® NIL完全集成SmartNIL
® UV-NIL系统达200毫米
对于大批量制造的完全集成的纳米压印光刻解决方案，具有EVG's专有SmartNIL ®印迹技术
HERCULES NIL是完全集成的UV纳米压印光刻跟 踪解决方案，适用于比较大200 mm的晶圆，是EVG的NIL产品组合的***成员。HERCULES
NIL基于模块化平台，将EVG专有的SmartNIL压印技术与清洁，抗蚀剂涂层和烘烤预处理步骤相结合。这将HERCULES NIL变成了“一站式服务”，将裸露的晶圆装载到工具中，然后将经过完全处理的纳米结构晶圆退回。
HERCULES ® NIL特征：
全自动UV-NIL压印和低力剥离
**多300毫米的基材
完全模块化的平台，具有多达八个可交换过程模块（压印和预处理）
200毫米/ 300毫米桥接工具能力
全区域烙印覆盖
批量生产**小40 nm或更小的结构
支持各种结构尺寸和形状，包括3D
适用于高地形（粗糙）表面
*分辨率取决于过程和模板
HERCULES ® NIL技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：100至200毫米/ 200和300毫米
解析度：≤40 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：SmartNIL ®
曝光源：大功率LED（i线）> 400 mW /cm²
对准：≤±3微米
自动分离：支持的
前处理：提供所有预处理模块
迷你环境和气候控制：可选的
工作印章制作：支持的
SmartNIL 非常适合对具有复杂纳米结构微流控芯片进行高精度图案化，用在下一代药 物研究和医学诊断设备生产。
EVG ® 770特征：
微透镜用于晶片级光学器件的高 效率制造主下降到纳米结构为SmartNIL ®
简单实施不同种类的大师
可变抗蚀剂分配模式
分配，压印和脱模过程中的实时图像
用于压印和脱模的原位力控制
可选的光学楔形误差补偿
可选的自动盒带间处理
EVG ® 770技术数据：
晶圆直径（基板尺寸）：100至300毫米
解析度：≤50 nm（分辨率取决于模板和工艺）
支持流程：柔软的UV-NIL
曝光源：大功率LED（i线）> 100 mW /cm²
对准：顶侧显微镜，用于实时重叠校准≤±500 nm和精细校准≤±300 nm
较早印刷模具到模具的放置精度：≤1微米
有效印记区域：长达50 x 50毫米
自动分离：支持的
前处理：涂层：液滴分配（可选）
EVG是纳米压印光刻（NIL）的市场**设备供应商。福建纳米压印美元报价
SmartNIL是基于紫外线曝光的全域型压印技术。EVG6200NT纳米压印出厂价
纳米压印光刻设备-处理结果：
新应用程序的开发通常与设备功能的提高紧密相关。 EVG的NIL解决方案能够产生具有纳米分辨率的多种不同尺寸和形状的图案，并在显示器，生物技术和光子应用中实现了许多新的创新。HRI SmartNIL®压印上的单个像素的1.AFM图像压印全息结构的AFM图像
资料来源：EVG与SwissLitho
AG合作（欧盟项目SNM）
2.通过热压花在PMMA中复制微流控芯片
资料来源：EVG
3.高纵横比（7：1）的10 µm柱阵列
由加拿大国家研究委 员会提供
4.L / S光栅具有优化的残留层，厚度约为10 nm
资料来源：EVG
5.紫外线成型镜片300 µm
资料来源：EVG
6.光子晶体用于LED的光提取
多晶硅的蜂窝织构化（mc-Si）
由Fraunhofer ISE提供
7.金字塔形结构50 µm
资料来源：EVG
8.**小尺寸的光模块晶圆级封装
资料来源：EVG
9.光子带隙传感器光栅
资料来源：EVG（欧盟Saphely项目）
10.在强光照射下对HRISmartNIL®烙印进行完整的晶圆照相
资料来源：EVG EVG6200NT纳米压印出厂价