单层膜膜厚仪有哪些应用
参考材料
备用 BK7 和二氧化硅参考材料。
BG-Microscope显微镜系统内取背景反射的小型抗反光镜
BG-F10-RT平台系统内获取背景反射的抗反光镜
REF-Al-1mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准
REF-Al-3mmSubstrate基底 - 高反射率铝基准
REF-BK71½" x 1½" BK7 反射基准。
REF-F10RT-FusedSilica-2Side背面未经处理的石英,用于双界面基准。
REF-Si-22" 单晶硅晶圆
REF-Si-44" 单晶硅晶圆
REF-Si-66" 单晶硅晶圆
REF-Si-88" 单晶硅晶圆
REF-SS3-Al專為SS-3样品平台設計之铝反射率基准片
REF-SS3-BK7專為SS-3样品平台設計之BK7玻璃反射率基准片
REF-SS3-Si專為SS-3样品平台設計之硅反射率基准片 成功测量光刻胶要面对一些独特的挑战, 而 Filmetrics 自动测量系统成功地解决这些问题。单层膜膜厚仪有哪些应用
F60 系列
包含的内容:集成平台/光谱仪/光源装置(不含平台)4", 6" and 200mm 参考晶圆TS-SiO2-4-7200 厚度标准真空泵备用灯
型号厚度范围*波长范围
F60-t:20nm-70µm 380-1050nm
F60-t-UV:5nm-40µm 190-1100nm
F60-t-NIR:100nm-250µm 950-1700nm
F60-t-EXR:20nm-250µm 380-1700nm
F60-t-UVX:5nm-250µm 190-1700nm
F60-t-XT0:2µm-450µm 1440-1690nm
F60-t-s980:4µm-1mm 960-1000nm
F60-t-s1310:7µm-2mm 1280-1340nm
F60-t-s1550:10µm-3mm 1520-1580nm
额外的好处:每台系统內建超过130种材料库, 随着不同应用更超过数百种应用工程师可立刻提供帮助(周一 - 周五)网上的 “手把手” 支持 (需要连接互联网)硬件升级计划 单层膜膜厚仪有哪些应用红外干涉测量技术, 非接触式测量。
FSM 360 拉曼光谱系统
FSM紫外光和可见光拉曼系统, 型号360
FSM拉曼的应用
l 局部应力;
l 局部化学成分
l 局部损伤
紫外光可测试的深度
***的薄膜(SOI 或 Si-SiGe)或者厚样的近表面局部应力
可见光可测试的深度
良好的厚样以及多层样品的局部应力
系统测试应力的精度小于15mpa (0.03cm-1)
全自动的200mm和300mm硅片检查
自动检验和聚焦的能力。
以上的信息比较有限,如果您有更加详细的技术问题,请联系我们的技术人员为您解答。或者访问我们的官网了解更多信息。
集成电路故障分析故障分析 (FA) 技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。
故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装) 和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度,并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。 Filmetrics F3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。 厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量,另外可选配模组来延伸**小测量厚度至0.1微米,同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。
测量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度 重复性: 0.1 μm (1 sigma)单探头* ;0.8 μm (1 sigma)双探头*。
光源用于一般用途应用之光源L思-DDT2可用在Filmetrics设备的光源具有氘灯-钨丝与远端控制的快门来取代旧款HamamatsuD2光源L思-DLED1具有高亮度白光LED的光源光纤配件:CP-RepairToolKitCP-1-1.3接触探头是相当坚固的,但是光纤不能经常被抽屉碰撞或者被椅子压过。该套件包括指令,以及简单的维修工具,新的和旧风格的探头。FO-PAT-SMA-SMA-200-22米长,直径200um的光纤,两端配备SMA接头。FO-RP1-.25-SMA-200-1.32米长,分叉反射探头。可见光可测试的深度,良好的厚样以及多层样品的局部应力。Filmetrics F10-RT膜厚仪芯片行业
一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。 测量 1nm 到 13mm 的单层薄膜或多层薄膜堆。单层膜膜厚仪有哪些应用
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学,半导体,以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – 蕞简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0), 而且非常接近化学计量 (就是说,硅:氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范,通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难,因为硅:氮比率通常不是3:4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是,氧常常渗入薄膜,生成一定程度的氮氧化硅,增大测量难度。 但是幸运的是,我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!单层膜膜厚仪有哪些应用
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