北京光刻机化合物半导体应用

EVG的光刻机技术：EVG在光刻技术上的关键能力在于其掩模对准器的高产能，接触和接近曝光功能以及其光刻胶处理系统的内部处理的相关知识。EVG的所有光刻设备平台均支持300毫米的晶圆，可以完全集成到其HERCULES光刻轨道系统中，并配有用于从上到下的侧面对准验证的度量工具。

EVG不断展望未来的市场趋势，因此提供了针对特定应用的解决方案，尤其是在光学3D传感和光子学市场中，其****的EVG的工艺和材料专业知识-源自对各种光刻胶材料进行的广/泛优化研究。了解客户需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解决方案成功的重要因素。 IQ Aligner光刻机支持的晶圆尺寸高达200 mm / 300 mm。北京光刻机化合物半导体应用

EVG光刻机简介：EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统，可以在顶部和双面光刻，对准晶圆键合和纳米压印光刻技术方面开创并建立了行业标准。EVG通过不断开发掩模对准器来为这些领域做出贡献，以增强蕞重要的光刻技术。EVG的掩模对准目标是容纳高达300mm的不同的尺寸，形状和厚度的晶圆和基片，同时为高级应用提供高科技含量的有效解决方案，并为研发提供充分的灵活可选性。EVG光刻机的掩模对准器和工艺能力经过现场验证，安装并完美集成在全球各地的用户系统中，可在众多应用场景中找到，包括高级封装，化合物半导体，功率器件，LED，传感器和MEMS。四川进口光刻机EVG610 掩模对准系统，支持的晶圆尺寸：100 mm / 150 mm / 200 mm。

EVG®150特征：晶圆尺寸可达300毫米多达6个过程模块可自定义的数量-多达20个烘烤/冷却/汽化堆多达四个FOUP装载端口或盒式磁带装载可用的模块包括旋转涂层，喷涂，NanoCoat™，显影，烘烤/冷却/蒸气/上等EV集团专有的OmniSpray®超声波雾化技术提供了****的处理结果，当涉及到极端地形的保形涂层可选的NanoSpray™模块实现了300微米深图案的保形涂层，长宽比*高为1:10，垂直侧壁广范的支持材料烘烤模块温度高达250°CMegasonic技术用于清洁，声波化学处理和显影，可提高处理效率并将处理时间从数小时缩短至数分钟

EVG曝光光学：专门开发的分辨率增强型光学元件（REO）可提供高出50％的强度，并显着提高/分辨率，在接近模式下可达到小于3μm的分辨率。REO的特殊设计有助于控制干涉效应以获得分辨率。EVG**/新的曝光光学增强功能是LED灯设置。低能耗和长寿命是UV-LED光源的**/大优势，因为不需要预热或冷却。在用户软件界面中可以轻松、实际地完成曝光光谱设置。此外，LED需要*在曝光期间供电，并且该技术消除了对汞灯经常需要的额外设施（废气，冷却气体）和更换灯的需要。这种理想的组合不仅可以**/大限度地降低运行和维护成本，还可以增加操作员的安全性和环境友好性。了解客户需求和有效的全球支持，这是我们提供优先解决方案的重要基础。

EVG®610特征：晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''顶侧和底侧对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持蕞新的UV-LED技术蕞小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户概念（无限数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同的用户界面语言）便捷处理和转换重组台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®610附加功能：键对准红外对准纳米压印光刻（NIL）EVG®610技术数据：对准方式上侧对准：≤±0.5µm底面要求：≤±2,0µm红外校准：≤±2,0µm/具体取决于基板材料键对准：≤±2,0µmNIL对准：≤±2,0µmHERCULES以**小的占地面积结合了EVG精密对准和光刻胶处理系统的所有优势。中国香港官方授权经销光刻机

EVG101光刻胶处理机可支持**/大300 mm的晶圆。北京光刻机化合物半导体应用

EVG ® 105—晶圆烘烤模块

设计理念：单机EVG ® 105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。

特点：可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的**/佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300 mm的晶圆尺寸或4个100 mm的晶圆。

特征

**烘烤模块

晶片尺寸**/大为300毫米，或同时**多四个100毫米晶片

温度均匀性≤±1°C @ 100°C，**/高250°C烘烤温度

用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销

烘烤定时器

基材真空（直接接触烘烤）

N 2吹扫和近程烘烤0-1 mm距离晶片至加热板可选

不规则形状的基材

技术数据

晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米

烤盘：

温度范围：≤250°C

手动将升降杆调整到所需的接近间隙

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