湖南键合机微流控应用

EVG®850DB自动解键合机系统 全自动解键合，清洁和卸载薄晶圆 特色 技术数据 在全自动解键合机中，经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗，而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光，热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法，都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。 特征 在有形和无形的情况下，都能可靠地处理变薄的、弯曲和翘曲的晶片 自动清洗解键合晶圆 程序控制系统 实时监控和记录所有相关过程参数 自动化工具中完全集成的SECS/GEM界面 适用于不同基板尺寸的桥接工具功能 模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量 技术数据 晶圆直径（基板尺寸） 高达300毫米 高达12英寸的薄膜面积 组态 解键合模块 清洁模块 薄膜裱框机 选件 ID阅读 多种输出格式 高形貌的晶圆处理 翘曲的晶圆处理EMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。湖南键合机微流控应用

EVG®501晶圆键合机（系统） ■研发和试生产的蕞/低 购置成本 ■真正的低强度晶圆楔形补偿系统，可实现蕞/高产量 ■强劲的压力和温度均匀性 ■自动键合和数据记录 ■高真空键合室 (使用真空涡轮增压泵，低至10-5mbar) ■开放式腔室设计，可实现快速转换和维护 ■Windows®操作软件和控制界面 ■蕞小占地面积的200mm键合系统，只有0.88m2 EVG®510晶圆键合机（系统） ■拥有EVG®501键合机的所有功能 ■150和200mm晶圆的单腔系统 ■研发和试生产的蕞/佳购置成本 ■强劲的压力和温度均匀性 ■通过楔形补偿实现高产量 ■兼容EVG的HVM键合系统 ■高产量，加速加热和优异的泵送能力贵州键合机图像传感器应用EVG键合机通过在高真空，精确控制的真空、温度或高压条件下键合，可以满足各种苛刻的应用。

BONDSCALE™自动化生产熔融系统启用3D集成以获得更多收益特色技术数据EVGBONDSCALE™自动化生产熔融系统旨在满足广fan的熔融/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决内部设备和系统路线图（IRDS）中确定的“超摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对准技术，与现有的熔融键合平台相比，BONDSCALE大幅提高了晶圆键合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。

EVG®850键合机 EVG®850键合机特征 生产系统可在高通量，高产量环境中运行 自动盒带间或FOUP到FOUP操作 无污染的背面处理 超音速和/或刷子清洁 机械平整或缺口对准的预键合 先进的远程诊断 技术数据 晶圆直径（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自动盒带到盒带操作 预键合室 对准类型：平面到平面或凹口到凹口 对准精度：X和Y：±50µm，θ：±0.1° 结合力：ZUI高5N 键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活 真空系统：9x10-2mbar（标准）和9x10-3mbar（涡轮泵选件） 清洁站 清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选） 腔室：由PP或PFA制成（可选） 清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％浓度（可选） 旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成 旋转：ZUI高3000rpm（5s）晶圆键合系统EVG501可以用于学术界和工业研究。

晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造，封装和测试的集成，从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。晶圆级封装还可以减小封装尺寸，从而节省材料并进一步降低生产成本。然而，更重要的是，减小的封装尺寸允许组件用于更广范的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸，尤其是减小封装高度。岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机，可以实现晶圆级封装的功能。EVG的GEMINI系列是自动化生产晶圆键合系统。ComBond键合机当地价格

烘烤/冷却模块-适用于GEMINI用于在涂布后和键合之前加工粘合剂层。湖南键合机微流控应用

半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。然而，需要晶片之间的紧密对准和覆盖精度以在键合晶片上的互连器件之间实现良好的电接触，并蕞小化键合界面处的互连面积，从而可以在晶片上腾出更多空间用于生产设备。支持组件路线图所需的间距不断减小，这推动了每一代新产品的更严格的晶圆间键合规范。imec3D系统集成兼项目总监兼EricBeyne表示：“在imec，我们相信3D技术的力量将为半导体行业创造新的机遇和可能性，并且我们将投入大量精力来改善它。“特别关注的领域是晶圆对晶圆的键合，在这一方面，我们通过与EVGroup等行业合作伙伴的合作取得了优异的成绩。去年，我们成功地缩短了芯片连接之间的距离或间距，将晶圆间的混合键合厚度减小到1.4微米，是目前业界标准间距的四倍。今年，我们正在努力将间距至少降低一半。”湖南键合机微流控应用