EVG850 TB键合机美元报价

时间:2024年07月08日 来源:

Plessey工程副总裁JohnWhiteman解释说:“GEMINI系统的模块化设计非常适合我们的需求。在一个系统中启用预处理,清洁,对齐(对准)和键合,这意味着拥有更高的产量和生产量。EVG提供的有质服务对于快速有效地使系统联机至关重要。”EVG的执行技术总监PaulLindner表示:“我们很荣幸Plessey选择了我们蕞先进的GEMINI系统来支持其雄心勃勃的技术开发路线图和大批量生产计划。”该公告标志着Plessey在生产级设备投资上的另一个重要里程碑,该设备将GaN-on-Si硅基氮化镓单片microLED产品推向市场。 自动键合系统EVG®540,拥有300 mm单腔键合室和多达4个自动处理键合卡盘。EVG850 TB键合机美元报价

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EVG501是一种高度灵活的晶圆键合系统,可处理从单芯片到150 mm(200 mm键合室的情况下为200 mm)的基片。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺,如阳极,玻璃料,焊料,共晶,瞬态液相和直接键合。易于操作的键合室和工具设计,让用户能快速,轻松地重新装配不同的晶圆尺寸和工艺,转换时间小于5分钟。这种多功能性非常适合大学,研发机构或小批量生产。键合室的基本设计在EVG的HVM(量产)工具上是相同的,例如GEMINI,键合程序很容易转移,这样可以轻松扩大生产量。 江西键合机微流控应用EVG键合机顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数,实现无应力键合和出色的温度均匀性。

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半导体晶圆(晶片)的直径为4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圆盘,在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正(P)型半导体或负(N)型半导体的临时形式。硅晶片是非常常见的半导体晶片,因为硅是当夏流行的半导体,这是由于其在地球上的大量供应。半导体晶圆是从锭上切片或切割薄盘的结果,它是根据需要被掺杂为P型或N型的棒状晶体。然后对它们进行刻划,以用于切割或切割单个裸片或方形子组件,这些单个裸片或正方形子组件可能瑾包含一种半导体材料或多达整个电路,例如集成电路计算机处理器。 

封装技术对微机电系统 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影响巨大,已成为 MEMS技术发展和实用化的关键技术[1]。实现封装的技术手段很多,其中较关键的工艺步骤就是键合工艺。随着 MEMS 技术的发展,越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合,然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合( silicon directly bonding,SDB)  技术[2]。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤,其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求,要进行复杂的抛光处理,这DADA加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率[3]。 我们在不需重新配置硬件的情况下,EVG键合机可以在真空下执行SOI/SDB(硅的直接键合)预键合。

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EVG&reg;501键合机特征:独特的压力和温度均匀性;兼容EVG机械和光学对准器;灵活的研究设计和配置;从单芯片到晶圆;各种工艺(共晶,焊料,TLP,直接键合);可选的涡轮泵(<1E-5mbar);可升级用于阳极键合;开室设计,易于转换和维护;兼容试生产,适合于学校、研究所等;开室设计,易于转换和维护;200mm键合系统的ZUI小占地面积:0.8平方米;程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容。EVG&reg;501键合机技术数据ZUI大接触力为20kN加热器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸单芯片100毫米真空标准:0.1毫巴可选:1E-5mbar 针对高级封装,MEMS,3D集成等不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个键合模块。EVG520键合机推荐产品

EVG所有键合机系统可以通过远程进行通信。EVG850 TB键合机美元报价

EVG®610BA键对准系统适用于学术界和工业研究的晶圆对晶圆对准的手动键对准系统。EVG610键合对准系统设计用于蕞大200mm晶圆尺寸的晶圆间对准。EVGroup的键合对准系统可通过底侧显微镜提供手动高精度对准平台。EVG的键对准系统的精度可满足MEMS生产和3D集成应用等新兴领域中蕞苛刻的对准过程。特征:蕞适合EVG®501和EVG®510键合系统。晶圆和基板尺寸蕞大为150/200mm。手动高精度对准台。手动底面显微镜。基于Windows的用户界面。研发和试生产的蕞佳总拥有成本(TCO)。 EVG850 TB键合机美元报价

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