半导体设备膜厚仪样机试用

FSM8018VITE测试系列设备VITE技术介绍：VITE是傅里叶频域技术，利用近红外光源的相位剪切技术（Phasesheartechnology）设备介绍适用于所有可让近红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度厚度变化(TTV)沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度不同半导体材料的厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...测量厚度: 15 — 780 μm (单探头) ； 3 mm (双探头总厚度测量)。半导体设备膜厚仪样机试用

技术介绍：红外干涉测量技术,非接触式测量。采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确的得到测试结果。产品简介：FSM413EC红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...Filmetrics F50膜厚仪应用监测控制生产过程中移动薄膜厚度。高达100 Hz的采样率可以在多个测量位置得到。

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!

厚度测量产品：我们的膜厚测量产品可适用于各种应用。我们大部分的产品皆備有库存以便快速交货。请浏览本公司网页产品资讯或联系我们的应用工程师针对您的厚度测量需求提供立即协助。单点厚度测量：一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。测量1nm到13mm的单层薄膜或多层薄膜堆。大多数产品都有库存而且可立即出货。Thetametrisis膜厚仪有各种不同附件和波长覆盖范围。微米(显微)级别光斑尺寸厚度测量当测量斑点只有1微米（µm）时，需要用您自己的显微镜或者用我们提供的整个系统。几乎任何形状的样品厚度和折射率的自动测绘。人工加载或机器人加载均可。

F60系列生产环境的自动测绘FilmetricsF60-t系列就像我们的F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机，以及升级到全自動化晶圆传输的机型。不同的F60-t仪器根据波长范围加以区分。较短的波长(例如，F60-t-UV)一般用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯采购膜厚仪可咨询和联系岱美仪器技术服务（上海）有限公司。半导体设备膜厚仪样机试用

Filmetrics 提供一系列的和测绘系统来测量 3nm 到 1mm 的单层、 多层、 以及单独的光刻胶薄膜。半导体设备膜厚仪样机试用

F10-AR无须处理涂层背面我们探头设计能抑制1.5mm厚基板98%的背面反射，使用更厚的镜头抑制的更多。就像我们所有的台式仪器一样，F10-AR需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内即可完成设定。包含的内容：集成光谱仪/光源装置FILMeasure8软件FILMeasure独力软件(用于远程数据分析)CP-1-1.3探头BK7参考材料整平滤波器(用于高反射基板)备用灯额外的好处：每台系统內建超过130种材料库,随着不同应用更超过数百种应用工程师可马上提供帮助（周一-周五）网上的“手把手”支持(需要连接互联网)硬件升级计划。半导体设备膜厚仪样机试用