Filmetrics F50膜厚仪应用

（光刻胶）polyerlayers（高分子聚合物层）polymide（聚酰亚胺）polysilicon（多晶硅）amorphoussilicon（非晶硅）基底实例：对于厚度测量，大多数情况下所要求的只是一块光滑、反射的基底。对于光学常数测量，需要一块平整的镜面反射基底；如果基底是透明的，基底背面需要进行处理使之不能反射。包括：silicon（硅）glass（玻璃）aluminum（铝）gaas（砷化镓）steel（钢）polycarbonate（聚碳酸脂）polymerfilms（高分子聚合物膜）应用半导体制造液晶显示器光学镀膜photoresist光刻胶oxides氧化物nitrides氮化物cellgaps液晶间隙polyimide聚酰亚胺ito纳米铟锡金属氧化物hardnesscoatings硬镀膜anti-reflectioncoatings增透镀膜filters滤光f20使用**仿真活动来分析光谱反射率数据。标准配置和规格F20-UVF20F20-NIRF20-EXR只测试厚度1nm~40μm15nm~100μm100nm~250μm15nm~250μm测试厚度和n&k值50nmandup100nmandup300nmandup100nmandup波长范围200-1100nm380-1100nm950-1700nm380-1700nm准确度大于％或2nm精度1A2A1A稳定性光斑大小20μm至可选样品大小1mm至300mm及更大探测器类型1250-元素硅阵列512-元素砷化铟镓1000-元素硅&512-砷化铟镓阵列光源钨卤素灯。一般较短波长 (例如， F50-UV) 可用于测量较薄的薄膜，而较长波长可以测量更厚、更不平整和更不透明的薄膜。Filmetrics F50膜厚仪应用

F40系列将您的显微镜变成薄膜测量工具F40产品系列用于测量小到1微米的光斑。对大多数显微镜而言，F40能简单地固定在c型转接器上，这样的转接器是显微镜行业标准配件。F40配备的集成彩色摄像机，能够对测量点进行准确监控。在1秒钟之内就能测定厚度和折射率。像我们所有的台式仪器一样，F40需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内完成设定。F40：20nm-40µm400-850nmF40-EXR：20nm-120µm400-1700nmF40-NIR：40nm-120µm950-1700nmF40-UV：4nm-40µm190-1100nmF40-UVX：4nm-120µm190-1700nm原装进口膜厚仪镀膜行业可测量的层数: 通常能够测量薄膜堆内的三层独力薄膜。 在某些情况下，能够测量到十几层。

集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度

电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!可见光可测试的深度，良好的厚样以及多层样品的局部应力。

F60系列生产环境的自动测绘FilmetricsF60-t系列就像我们的F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。这些功能包括凹槽自动检测、自动基准确定、全封闭测量平台、预装软件的工业计算机，以及升级到全自動化晶圆传输的机型。不同的F60-t仪器根据波长范围加以区分。较短的波长(例如，F60-t-UV)一般用于测量较薄的薄膜，而较长的波长则可以用来测量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。包含的内容：集成平台/光谱仪/光源装置（不含平台）4",6"and200mm参考晶圆TS-SiO2-4-7200厚度标准真空泵备用灯膜厚仪通过不同的测量原理来实现对膜厚的精确测量。Filmetrics F50膜厚仪应用

Filmetrics F60-t 系列就像我们的 F50产品一样测绘薄膜厚度和折射率，但它增加了许多用于生产环境的功能。Filmetrics F50膜厚仪应用

铟锡氧化物与透明导电氧化物液晶显示器，有机发光二极管变异体，以及绝大多数平面显示器技术都依靠透明导电氧化物(TCO)来传输电流，并作每个发光元素的阳极。和任何薄膜工艺一样，了解组成显示器各层物质的厚度至关重要。对于液晶显示器而言，就需要有测量聚酰亚胺和液晶层厚度的方法，对有机发光二极管而言，则需要测量发光、电注入和封装层的厚度。在测量任何多个层次的时候，诸如光谱反射率和椭偏仪之类的光学技术需要测量或建模估算每一个层次的厚度和光学常数(反射率和k值)。不幸的是，使得氧化铟锡和其他透明导电氧化物在显示器有用的特性，同样使这些薄膜层难以测量和建模，从而使测量在它们之上的任何物质变得困难。Filmetrics的氧化铟锡解决方案Filmetrics已经开发出简便易行而经济有效的方法，利用光谱反射率精确测量氧化铟锡。将新型的氧化铟锡模式和F20-EXR,很宽的400-1700nm波长相结合，从而实现氧化铟锡可靠的“一键”分析。氧化铟锡层的特性一旦得到确定，剩余显示层分析的关键就解决了。Filmetrics F50膜厚仪应用