国产激光位移传感器诚信企业推荐

时间:2024年07月04日 来源:

如权利要求2所述的激光位移传感器检验校准装置,其特征在于:所述微调装置包括一蜗轮蜗杆机构、一电子测量仪以及一微调平台;所述微调平台设于所述电动伸缩双直线导轨上端的尾部,所述微调平台的末端向上设有一延伸部;所述蜗轮蜗杆机构设于所述微调平台的前端;所述电子测量仪的一端抵接于所述延伸部,另一端抵接于所述蜗轮蜗杆机构。如权利要求3所述的激光位移传感器检验校准装置,其特征在于:所述蜗轮蜗杆机构包括一横向蜗杆、一蜗轮以及一位移调节把手;所述横向蜗杆的一端与所述激光红外线接收挡板的背面固接,另一端与所述电子测量仪抵接;所述位移调节把手与所述蜗轮的中心固接。激光位移传感器是一种非接触式的测量设备,利用激光技术进行精确的距离测量。国产激光位移传感器诚信企业推荐

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针对目前国内自主研制的激光位移传感器精度低,测量范围小等问题,提出了一种采用光学设计软件预先仿真整个激光位移传感器光学系统的方法。在分析系统各部分的光学特性的基础上,结合具体要求设计了一个激光位移传感器的光学系统,其工作范围为(50±10)mm。采用系统分割的方法,将整个光学系统分为两部分进行设计,No.1部分是激光束的整形透镜,要求在有效的工作范围内得到小而均匀的出射光斑,设计结果表明,在测量范围内,光斑大小能够控 制在10-1mm量级;另一部分是被测面散射光接收的成像物镜,该系统的特点是物面和像面相对于光轴都有一定的角度,实验结果表明其成像满足Scheimpflug条件。  青浦区激光位移传感器供应链无论是在工业生产、医疗诊断还是科学研究,它都发挥着巨大作用,为我们提供了准确而可靠的测量数据。

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为克服由于前述各种因素导致激光位移传感器像面上的像点光斑不对称现象对位移检测产生的影响,目前本技术领域采用的做法大致有以下几种情况:采用抗饱和芯片,用以消除芯片饱和产生的拖尾现象,但该方法还无法减小被测物体表面因反射不均匀或因粗糙度不均匀而引起的检测误差;在工业检测中根据不同的被测物体表面反射情况,按照其产生的有规律的不同形状的光斑,采用不同的数据处理方法提高检测精度,这对工作场合稳定、被测物体表面有规律的情况是完全可以的,但对被测表面反射情况事先无法知道的道路检测方面,同样还存在由于光斑不对称产生的测量误差;

一种激光位移传感器检验校准装置,其特征在于:包括一可伸缩导轨、一微调装置、一传感器夹持装置、一激光位移传感器以及一激光红外线接收挡板;所述微调装置和传感器夹持装置设于所述可伸缩导轨的上端;所述激光位移传感器夹持在所述传感器夹持装置上,且使所述激光位移传感器的激光发射端朝向所述微调装置;所述激光红外线接收挡板与所述微调装置固接,且使所述激光红外线接收挡板的接收面朝向所述传感器夹持装置。啊啊啊啊啊啊啊激光位移传感器可以用于测量机械零件的尺寸和形状。

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在一个实施例中,上述感光元件7可以为线阵CCD感光芯片,或者也可以是线阵CMOS感光芯片。在线阵CCD感光芯片或线阵CMOS感光芯片中,包括线形排列的多个感光单元,通常为直线排列,该直线的延伸方向为感光单元的主要排列方向,这些感光单元沿着水平方向(弧矢方向)排列。由于感光单元为直线状排列,因此,长条形光斑可增加与像元之间的接触面积,可降低机械器件形变对所述激光位移传感器信噪比的影响。[0045]在其他实施例中,上述感光元件7可以是面阵CCD感光芯片或面阵CMOS感光芯片。面阵CCD感光芯片或面阵CMOS感光芯片包括排列为矩形的多个感光单元,矩形的长边沿着水平方向(弧矢方向)延伸,短边沿着竖直方向(子午方向)延伸,其长边的延伸方向即为感光单元的主要排列方向。这样,长条形光斑同样更加容易地被面阵CCD感光芯片或CMOS感光芯片接收到。激光三角反射式测量原理基于简单的几何关系。常州激光位移传感器品牌企业

它还可以用于测量机械设备的振动情况,以提前发现故障。国产激光位移传感器诚信企业推荐

激光位移传感器的测量精度容易受到被测物体表面特征的影响,为了减小测量误差,在整形镜设计中应尽量使出射光斑在有效的测量范围内实现光斑小且均匀。针对传感头小型化设计的要求,半导体激光器体积小、重量轻的优点正好符合这一要求,但其光束质量并不理想,需要对其进行光束整形。半导体激光器快慢轴的光束分布极不对称:快轴发散角较大,半角的典型值为30~40°,光束呈高斯分布,发光范围的半宽度为0.6~0.8μm,慢轴发散角的半角典型值为3~6°,光束分布不规则,发光范围半宽度为50~100μm。因此,在不允许能量损失的情况下,要求整形系统的物方数值孔径(NA)>0.573;但由于光束的快轴能量呈高斯分布,通常取半宽度(FWHM)为20°,此时NA=0.342。系统物距应尽量小一些,但考虑到工艺问题,不宜过小,选定为2.5mm。为了便于设计,将系统倒置,整个系统的主要要求为:工作波长为785±10nm,像方NA=0.342,像距l′=2.5mm,物距l=40~60mm,焦距f=3~4mm。国产激光位移传感器诚信企业推荐

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