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这个话题的起因,是神八兄送了我几个大电流IGBT模块,有150A的,也有300A的,据说功率分别可以做到10KW和20KW以上,也是挡不住的诱惑,决定来试一试。但首先必须做一块能驱动这些大家伙的驱动电路板。经和神八兄多次商量后,决定还是用EG8010芯片,理由是:这款SPWM芯片价格便宜,功能很多,性能比较好,特别稳压特性很好。但是,用8010来驱动IGBT模块,也有二个问题需要解决:***个问题:8010的**大死区时间只有,而这些大模块,因为输入电容比较大,需要有比较大的死区时间,有时可能要放大到3US以上,才能安全工作。为了解决这个问题,我把8010的输出接法做了较大的改进,先把8010输出的4路用与门合并成2路,做成象张工的22851093这样的时序,再把二路SPWM分成4路,用与非门做成硬件死区电路,这样,死区时间就不受8010内建死区的限止了,可以随意做到几US。这样的接法,还有一个**的好处,就是H桥的4个管子功耗是平均的,不会出现半桥热半桥冷的现象。第二个问题:因为IGBT模块的工作频率都比较低,一般要求在20K以下,但8010的载波频率比较高,神八兄经过实险和计算,决定用下面方式来解决,把原先8010用的12M晶振,改为10M晶振,这样,载频就降到。 有三个PN结,对外有三个电极〔图2(a)〕:一层P型半导体引出的电极叫阳极A。中国香港出口IGBT模块销售
IGBT模块
本实用新型属于智能功率模块保护电路技术领域,涉及一种ipm模块短路检测电路。背景技术:ipm(intelligentpowermodule),即智能功率模块,不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且其内部还集成有过电压,过电流和过热等故障检测电路,并可将检测信号送到cpu。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当,也可以保证ipm自身不受损坏。近年来,ipm模块已经在汽车电子、机车牵引和新能源等各个领域获得广泛的应用。随着ipm模块在各个领域的进一步应用,对ipm模块的及其应用的要求也进一步提高,由于大功率ipm模块通常工作在高压大电流的条件下,在系统运行的过程中,ipm模块会出现短路损坏的问题,严重影响其应用。因此,ipm模块的短路检测是其中的一项关键技术。由于ipm模块的开关速度越来越快,ipm模块发生短路时的电流是额定电流的4-6倍,如果不能快速的检测到短路故障,保护电路不能***时间进行器件保护,这将不可避免的导致ipm模块发生损坏,所以对ipm模块进行短路监测的精度要求肯定越来越高,而传统的ipm模块退饱和检测法的劣势将会越来越明显,由于设置的基准电压不准确更有可能导致退饱和短路检测方法下的误动作。 中国澳门哪里有IGBT模块代理品牌IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。
它具有很强的抗干扰能力、良好的高压绝缘性能和较高的瞬时过电压承受能力,因而被应用于高压直流输电(HVDC)、静止无功功率补偿(SVC)等领域。其研制水平大约为8000V/3600A。逆变晶闸因具有较短的关断时间(10~15s)而主要用于中频感应加热。在逆变电路中,它已让位于GTR、GTO、IGBT等新器件。目前,其最大容量介于2500V/1600A/1kHz和800V/50A/20kHz的范围之内。5非对称晶闸是一种正、反向电压耐量不对称的晶闸管。而逆导晶闸管不过是非对称晶闸管的一种特例,是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。与普通晶闸管相比,它具有关断时间短、正向压降小、额定结温高、高温特性好等优点,主要用于逆变器和整流器中。目前,国内有厂家生产3000V/900A的非对称晶闸管。
1被广泛应用于工业行业中,对于一些专业的电力技术人员,都知道的来历及各种分类。不过现在从事这一行的人越来越多,有的采购人员对这方面还不是很了解。有的客户也经常问起我们模块的来历。现在就为大家分享一下:2晶闸管诞生后,其结构的改进和工艺的**,为新器件的不断出现提供了条件。1964年,双向晶闸管在GE公司开发成功,应用于调光和马达控制;1965年,小功率光触发晶闸管出现,为其后出现的光耦合器打下了基础;60年代后期,大功率逆变晶闸管问世,成为当时逆变电路的基本元件;1974年,逆导晶闸管和非对称晶闸管研制完成。3普通晶闸广泛应用于交直流调速、调光、调温等低频(400Hz以下)领域,运用由它所构成的电路对电网进行控制和变换是一种简便而经济的办法。不过,这种装置的运行会产生波形畸变和降低功率因数、影响电网的质量。目前水平为12kV/1kA和6500V/4000A。双向晶闸可视为一对反并联的普通晶闸管的集成,常用于交流调压和调功电路中。正、负脉冲都可触发导通,因而其控制电路比较简单。其缺点是换向能力差、触发灵敏度低、关断时间较长,其水平已超过2000V/500A。4光控晶闸是通过光信号控制晶闸管触发导通的器件。 有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
本发明涉及电力电子开关技术领域,尤其涉及一种立式晶闸管模块。背景技术:电力电子开关是指利用电子电路以及电力电子器件实现电路通断的运行单元,至少包括一个可控的电子驱动器件,如晶闸管、晶体管、场效应管、可控硅、继电器等。其中,现有的晶闸管*能够实现单路控制,不利于晶闸管所在电力系统的投切控制。因此,针对上述问题,有必要提出进一步的解决方案。技术实现要素:本发明的目的在于提供一种立式晶闸管模块,以克服现有技术中存在的不足。为实现上述发明目的,本发明提供一种立式晶闸管模块,其包括:外壳、盖板、铜底板、形成于所述盖板上的***接头、第二接头和第三接头、封装于所述外壳内部的***晶闸管单元和第二晶闸管单元;所述***晶闸管单元包括:***压块、***门极压接式组件、***导电片、第二导电片、瓷板,所述***压块设置于所述***门极压接式组件上,并通过所述***门极压接式组件对所述***导电片、第二导电片、瓷板施加压合作用力,所述***导电片、第二导电片、瓷板依次设置于所述铜底板上;所述第二晶闸管单元包括:第二压块、第二门极压接式组件、第三导电片、钼片、银片、铝片,所述第二压块设置于所述第二门极压接式组件上。 以拆解的IGBT模块型号为:FF1400R17IP4为例。模块外观及等效电路如图1所示。黑龙江国产IGBT模块价格优惠
模块包含两个IGBT,也就是我们常说的半桥模块。中国香港出口IGBT模块销售
我们该如何更好地区保护晶闸管呢?在使用过程中,晶闸管对过电压是很敏感的。过电流同样对晶闸管有极大的损坏作用。西安瑞新公司给大家介绍晶闸管的保护方法,具体如下:1、过电压保护晶闸管对过电压很敏感,当正向电压超过其断态重复峰值电压UDRM一定值时晶闸管就会误导通,引发电路故障;当外加反向电压超过其反向重复峰值电压URRM一定值时,晶闸管就会立即损坏。因此,必须研究过电压的产生原因及抑制过电压的方法。过电压产生的原因主要是供给的电功率或系统的储能发生了激烈的变化,使得系统来不及转换,或者系统中原来积聚的电磁能量来不及消散而造成的。主要发现为雷击等外来冲击引起的过电压和开关的开闭引起的冲击电压两种类型。由雷击或高压断路器动作等产生的过电压是几微秒至几毫秒的电压尖峰,对晶闸管是很危险的。由开关的开闭引起的冲击电压又分为如下几类:(1)交流电源接通、断开产生的过电压例如,交流开关的开闭、交流侧熔断器的熔断等引起的过电压,这些过电压由于变压器绕组的分布电容、漏抗造成的谐振回路、电容分压等使过电压数值为正常值的2至10多倍。一般地,开闭速度越快过电压越高,在空载情况下断开回路将会有更高的过电压。。 中国香港出口IGBT模块销售
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