本地HTOL测试机设计

时间:2024年03月30日 来源:

    技术实现要素:本发明提供了一种闪存htol测试方法,以解决闪存htol测试中读点失效的问题。本发明提供的闪存htol测试方法,包括:提供待测闪存,所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元;所述闪存参考单元中捕获有空穴;对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。进一步的,所述闪存参考单元包括衬底、位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极和漏极,位于所述导电沟道上方的栅极单元,所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层以及控制栅,所述栅极单元的两侧分布有侧墙。 上海顶策科技智能HTOL系统,全程数据记录,让HTOL问题更容易分析,更有追溯性。本地HTOL测试机设计

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    3.试验方法标准试验方法备注JESD22-A108F-20171.应力持续时间应符合要求,在必要时进行测量;2.如果制造商提供了验证数据,不需要在偏置下进行冷却。中断偏置1min,不应认为消除了偏置。1.测量所用时间不应纳入器件试验时间;2.偏置指电源对引脚施加的电压。,一般在老化结束96h内进行;2.在消除偏置之前,器件在室温下冷却到稳定状态的10℃以内。如果应力消失,则试验时间延长。GJB548B-2015方法:1.四种标准都保证了器件高温工作时间的完整性。————————————————版权声明:本文为CSDN博主「月丶匈」的原创文章,遵循,转载请附上原文出处链接及本声明。原文链接:。

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闪存HTOL测试方法与流程本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种闪存htol测试方法。背景技术:闪存(flashmemory)是一种非易失性的存储器,其具有即使断电存储数据也不会丢失而能够长期保存的特点。故近年来闪存的发展十分迅速,并且具有高集成度、高存储速度和高可靠性的闪存存储器被广泛应用于包括电脑、手机、服务器等电子产品及设备中。在半导体技术领域中,htol(hightemperatureoperatinglifetest,高温操作生命期试验)用于评估半导体器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力。对于闪存的可靠性而言,在数万次的循环之后的htol是一个主要指数。通常而言,闪存产品需要在10000次的循环之后,通过1000小时的htol测试。闪存htol实际测试中存在若干小时后闪存测试读点(例如读“0”)失效,亟需解决闪存htol测试中读点失效的问题。上海顶策科技有限公司可靠性测试服务,涵盖模拟,数字,混合信号,SOC,RF等各类芯片的可靠性方案设计。长宁区在线HTOL测试机

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导致偏移量发生的原因是在htol可靠性验证过程中闪存参考单元会有空穴丢失,而丢失的空穴是在制作闪存的生产工艺过程中捕获(引入)的,短期内无法消除。而闪存产品从工程样品(es,engineeringsample)到客户样品(cs,customersample)的时间不容延期。从测试端找出解决方案非常迫在眉睫。本发明实施例的闪存htol测试方法对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除,以在所述闪存参考单元中引入电子;对所述闪存进行htol测试,所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失,以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。本地HTOL测试机设计

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