拱墅区品质双备份电源

二极管的整流问题解决方法电路的发展不断使用到二极管，那么大家了解二极管的整流吗？近几年，随着电子技术不断飞速的发展，促使电路的工作电压越来越低、电流越来越大。低电压工作有利于降低电路的整体功率消耗，同时也给电源设计提出了新的难题。开关电源的损耗主要由3部分组成：功率开关管的损耗，高频变压器的损耗，输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下，整流二极管的导通压降较高，输出端整流管的损耗尤为突出。快恢复二极管(FRD)或超快恢复二极管(SRD)可达～，即使采用低压降的肖特基二极管(SBD)，也会产生大约，这就导致整流损耗增大，电源效率降低。问题举例但设采用，所消耗的电流可达20A。此时超快恢复二极管的整流损耗已接近甚至超过电源输出功率的50%。即使采用肖特基二极管，整流管上的损耗也会达到(18%～40%)PO，占电源总损耗的60%以上。因此，传统的二极管整流电路已无法满足实现低电压、大电流开关电源高效率及小体积的需要，成为制约DC/DC变换器提高效率的瓶颈。同步整流技术引言在电源转换领域，输出直流电压不高的隔离式转换器都使用MOSFET作为整流器件。由於这些器件上的导通损耗较小，能够提高效率因而应用越来越很大程度。华迅智能双备份电源为用户产生良好效益。拱墅区品质双备份电源

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它能极大提高DC/DC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。工作方式的比较传统的同步整流方案基本上都是PWM型同步整流，主开关与同步整流开关的驱动信号之间必须设置一定的死区时间，以避免交叉导通，因此，同步整流MOS管就存在体二极管导通和反向恢复等问题，从而降低同步整流电路的性能。增加驱动能力的外驱电路由NMOSFET构成的反激同步整流自驱动电路结构由PMOSFET构成的反激同步整流自驱动电路结构反激同步整流驱动电路选择同步整流管的驱动方式有三种：首先种是外加驱动控制电路，优点是其驱动波形的质量高，调试方便。缺点是：电路复杂，成本高，在追求小型化和低成本的现下只有研究价值，基本没有应用价值。上图是简单的外驱电路，R1D1用于调整死区。该电路的驱动能力较小，在同步整流管的Ciss较小时，可以使用。图6是在图5的基础上增加副边推挽驱动电路的结构，可以驱动Ciss较大的MOSFET。在输出电压低于5V时，需要增加驱动电路供电电源。第二种是自驱动同步整流。能够提供一个稳定电压和频率的电源称交流稳定电源。

这会根据导通孔厚度和长度的不同而不同，它们可增加总的回路电感量。对于低阻抗的连接来说，使用多个导通孔是应该的。在上面的例子中，通到地线层的附加导通孔对缩减CIN回路的长度没有帮助。但在另一个例子中，由于顶层的路径很长，通过导通孔来缩小回路面积就十分有效。10、需要注意的是将地线层作为电流回流的路径会将大量噪声引入地线层，为此可将局部地线层**出来，再通过一个噪声很低的点接入主地当中。11、当地线层很靠近辐射回路的时候，其对回路的屏蔽效果会得到有效的加强。因此，在设计局多层PCB的时候，可将完整的地线层放在第二层，使其直接位于承载了大电流的顶层的下面。12、非屏蔽电感会生成大量的漏磁，它们会进入其他回路和滤波元件之中。在噪声敏感的应用中应当使用半屏蔽或全屏蔽的电感，还要让敏感电路和回路远离电感。解决EMI问题可能是一件很复杂的事情，尤其是在面对完整的系统，同时又不知道辐射源所在的时候。有了关于高频信号和开关切换式转换器中的电流回路的基础知识，再加上对元器件和PCB布局在高频情况下的表现的了解，结合某些简单自制工具的使用，要想找出辐射源和降低辐射的低成本解决方案，从而轻松的解决EMI问题是有可能的。通信电源是整个通信系统的重要组成部分。临安区学校双备份电源设备

当因故停电，且在较短时间内无法恢复供电时，必须启用备用电源。拱墅区品质双备份电源

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