深圳市海弘建业科技有限公司2023-12-06
在栅绝缘膜界面处,OFET中的电荷传输被限制为二维。已经使用许多实验技术来分析OFET内部的电荷传输。例如,用于测量注入电荷的到达时间的Haynes-Shockley方法,用于测量块体中电荷迁移率的瞬态光电流测量方法(TOF方法)以及绝缘膜中的电场分布用于测量的光压力波传播方法,用于测量栅极绝缘膜界面处的极化取向变化的有机单分子膜测量以及有机半导体内部的电场分布(可以通过分析获得电荷分布)用于测量目的的时间分辨SHG测量。这些测量结果表明,由OFET内部的栅极电压感应的电荷通过扩散扩散。
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