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    图2为所述蚀刻区的结构示意图；图3为所述玻璃加工治具的种结构正视图；图4为所述玻璃加工治具的第二种结构正视图；图5为图3中的局部放大图；图6为所述玻璃加工治具的结构俯视图；图7为所述底支撑件的结构正视图；图8为所述底支撑件的结构侧视图。图中数字表示：1-转换区；2-冲洗区；3-蚀刻区；4-玻璃加工治具；31-腔室；32-主厚度测量仪；33-喷淋组件；41-底座；42-支撑架；43-底支撑件；44-侧支撑件；421-竖直平板；422-侧板；423-固定板；424-水平槽；425-竖直槽；426-固定槽；427-固定卡块；428-定位槽；429-定位孔；431-支撑条；432-第二支撑条；433-连接部；434-接触部；435-磁性件；436-第二磁性件；437-限位孔；438-限位块；439-第二限位块。具体实施方式以下结合附图，对本发明上述的和另外的技术特征和优点作更详细的说明。实施例一如图1所示，图1为所述玻璃减薄设备的结构视图；本发明中所述玻璃减薄设备包括转换区1、冲洗区2和蚀刻区3，所述冲洗区2设置于所述转换区1和所述蚀刻区3之间，竖直容纳在玻璃加工治具4中的多个玻璃通过所述转换区1被加载到所述冲洗区2中，在所述冲洗区2中进行减薄前清洁并且在所述蚀刻区3中经历减薄处理。减薄清洗剂采用独特配方，提高工作效率。池州半导体减薄用清洗剂批量定制

    本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种抛光减薄装置和抛光减薄方法。背景技术：采用iii-v族化合物制作的半导体器件和超高速数字/数模混合电路等凭借其优良的频率特性，已经成为通讯、雷达、制导、空间防御、高速智能化武器及电子对抗等现代化装备的部件之一。在众多的iii-v族化合物中，inp(磷化铟)化合物具有独特的优势，这主要得益于其优良的材料特性，例如，inp和ingaas(铟镓砷)之间的晶格失配很小，以及电子饱和速率很高等，所以不论是hemt(highelectronmobilitytransistor，高电子迁移率晶体管)结构还是hbt(heterojunctionbipolartransistor，异质结双极晶体管)结构，都具有非常优异的高频、大功率性能。但是，inp材料的物理性能却很差，非常易碎，很小的碰撞或振动都会导致晶圆碎裂而前功尽弃，因此，inp材料的制造加工面临着很多工艺上的难题。尤其是在超高频率、大功率的inp基rfic(射频集成电路)的制造工艺中，如何在对inp基晶圆进行减薄抛光时，减小或避免inp基晶圆的损伤是本领域技术人员亟待解决的问题之一。技术实现要素：有鉴于此，本发明提供了一种抛光减薄装置和抛光减薄方法，以减小或避免inp基晶圆的减薄抛光损伤。为实现上述目的。芜湖玻璃用减薄用清洗剂价格减薄清洗剂，轻松解决涂层过厚问题，让您的产品更好。

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    故所述控制器在从所述辅助厚度测量仪接收的玻璃厚度超出目标厚度的公差范围时，可再次控制所述玻璃加工治具4回到所述蚀刻区3，并且控制玻璃在所述蚀刻区3中再次经历减薄处理，以将玻璃处理为目标厚度。同时通过所述辅助厚度测量仪提前测量待经历减薄处理的玻璃厚度，可与所述主厚度测量仪32检测的初始厚度作对比，可判断所述主厚度测量仪32是否失灵，从而在后期根据所述辅助厚度测量仪的检测数据判断是否需再次进入所述腔室31。具体的，当所述辅助厚度测量仪检测厚度与所述主厚度测量仪32检测的初始检测厚度不在公差范围之内，可判断所述主厚度测量仪32失灵；在当后期减薄后所述辅助厚度测量仪的检测厚度不符合目标厚度时，可判断所述主厚度测量仪32非暂时失灵，所述控制器警报提醒并不再将所述玻璃加工治具4回撤至所述腔室31内，而将所述玻璃加工治具4从所述刻蚀区撤出，并等待所述主厚度测量仪32的维修完成。实施例七采用本发明所述玻璃减薄生产线的具体工艺流程为：s1，将竖直容纳玻璃的所述玻璃加工治具4放置在所述转换区1内，经所述冲洗区2减薄前清洗后转移至所述蚀刻区3，所述玻璃加工治具4在所述蚀刻区3中经历减薄处理；具体的，在所述蚀刻区3中进行减薄处理期间。池州半导体减薄用清洗剂批量定制