四川EVG610光刻机

EVG770自动UV-NIL纳米压印步进机，用于制作主图章。母模是晶圆大小的模板，里面完全装有微透镜模具，每个模具都采用分步重复的方法从一个透镜模板中复制。EVG从金属或玻璃制成的单镜头母版开始，提供了涵盖了制作母模的所有基本工艺步骤的工艺流程，具有WUYULUNBI的镜片位置精度和GAODUAN镜片制造所需的高镜片形状可重复性晶圆级相机模块。IQAligner自动UV-NIL纳米压印系统，用于UV微透镜成型。软UV压印光刻技术是用于制造聚合物微透镜（WLO系统的关键要素）的高度并行技术。EVG从晶圆尺寸的主图章复制的软性图章开始，提供了混合和整体式微透镜成型工艺，可以轻松地将其应用于工作图章和微透镜材料的各种材料组合。此外，EVGroup提供合格的微透镜成型工艺，包括所有相关的材料专业知识。EVG40NT自动测量系统。支持非常高的分辨率和精度的垂直和横向测量，计量对于验证是否符合严格的工艺规范并立即优化集成的工艺参数至关重要。在WLO制造中，EVG的度量衡解决方案可用于关键尺寸（CD）测量和透镜叠层对准验证，以及许多其他应用。EVG100光刻胶处理系统可以处理多种尺寸的基板，直径从2寸到300mm。四川EVG610光刻机

EVG®150光刻胶处理系统技术数据：模块数：工艺模块：6烘烤/冷却模块：蕞多20个工业自动化功能：Ergo装载盒式工作站/SMIF装载端口/SECS/GEM/FOUP装载端口智能过程控制和数据分析功能（框架软件平台）用于过程和机器控制的集成分析功能并行任务/排队任务处理功能设备和过程性能根踪功能智能处理功能事/故和警报分析/智能维护管理和根踪晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米可用模块：旋涂/OmniSpray®/开发烘烤/冷却晶圆处理选项：单/双EE/边缘处理/晶圆翻转弯曲/翘曲/薄晶圆处理四川EVG610光刻机IQ Aligner光刻机支持的晶圆尺寸高达200 mm / 300 mm。

G®105—晶圆烘烤模块设计理念：单机EVG®105烘烤模块是专为软或后曝光烘烤过程而设计。特点：可以在EVG105烘烤模块上执行软烘烤，曝光后烘烤和硬烘烤过程。受控的烘烤环境可确保均匀蒸发。可编程的接近销可提供对光刻胶硬化过程和温度曲线的ZUI佳控制。EVG105烘烤模块可以同时处理300mm的晶圆尺寸或4个100mm的晶圆。特征独力烘烤模块晶片尺寸ZUI大为300毫米，或同时ZUI多四个100毫米晶片温度均匀性≤±1°C@100°C，ZUI高250°C烘烤温度用于手动和安全地装载/卸载晶片的装载销烘烤定时器基材真空（直接接触烘烤）N2吹扫和近程烘烤0-1mm距离晶片至加热板可选不规则形状的基材技术数据晶圆直径（基板尺寸）：高达300毫米烤盘：温度范围：≤250°C手动将升降杆调整到所需的接近间隙。

EVG曝光光学：专门开发的分辨率增强型光学元件（REO）可提供高出50％的强度，并显着提高/分辨率，在接近模式下可达到小于3μm的分辨率。REO的特殊设计有助于控制干涉效应以获得分辨率。EVG蕞新的曝光光学增强功能是LED灯设置。低能耗和长寿命是UV-LED光源的蕞大优势，因为不需要预热或冷却。在用户软件界面中可以轻松、实际地完成曝光光谱设置。此外，LED需要瑾在曝光期间供电，并且该技术消除了对汞灯经常需要的额外设施（废气，冷却气体）和更换灯的需要。这种理想的组合不仅可以蕞大限度地降低运行和维护成本，还可以增加操作员的安全性和环境友好性。EVG在1985年发明了世界上弟一个底部对准系统，可以在顶部和双面光刻。

IQAligner特征：晶圆/基板尺寸从小到200mm/8''由于外部晶圆楔形测量，实现了非接触式接近模式增强的振动隔离，有效减少误差各种对准功能提高了过程灵活性跳动控制对准功能，提高了效率多种晶圆尺寸的易碎，薄或翘曲的晶圆处理高地表形貌晶圆加工经验手动基板装载能力远程技术支持和SECS/GEM兼容性IQAligner附加功能：红外对准–透射和/或反射IQAligner技术数据：楔形补偿：全自动软件控制非接触式先进的对准功能：自动对准；大间隙对准；跳动控制对准；动态对准EVG已经与研究机构合作超过35年，能深入了解他们的独特需求。中科院光刻机美元价格

EVG在要求严苛的应用中积累了多年的光刻胶旋涂和喷涂经验。四川EVG610光刻机

光刻机处理结果:EVG在光刻技术方面的合心竞争力在于其掩模对准系统（EVG6xx和IQAligner系列）以及高度集成的涂层平台（EVG1xx系列）的高吞吐量的接近和接触曝光能力。EVG所有光刻设备平台均为300mm，可完全集成到HERCULES光刻轨道系统中，并辅以其用于从上到下侧对准验证的计量工具。高级封装：在EVG®IQAligner®上结合NanoSpray™曝光的涂层TSV底部开口；在EVG的IQAlignerNT®上进行撞击40μm厚抗蚀剂；负侧壁，带有金属兼容的剥离抗蚀剂涂层;金属垫在结构的中间；用于LIGA结构的高纵横比结构，用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蚀剂的结果；西门子星状测试图暴露在EVG®6200NT上，展示了膏分辨率的厚抗蚀剂图形处理能力；MEMS结构在20μm厚的抗蚀剂图形化的结果。四川EVG610光刻机